Módulos Igbt
Este IGBT está diseñado con tecnología avanzada de trinchera Field-Stop,
Cubre productos de 650V-1200V. Este IGBT ofrece VCE(sat) bajo, alto
Rendimiento de conmutación de velocidad y excelente calidad para la aplicación.
como PFC, UPS, soldador, inversor fotovoltaico y otras aplicaciones de conmutación.
Descripción
El módulo IGBT es un compuesto de MOSFET y un dispositivo de transistor bipolar, combina
las ventajas de estos dos dispositivos, con alta impedancia de entrada y bajo voltaje-
Caída, velocidad de cambio rápida, etc. El módulo IGBT ha sido ampliamente utilizado en la moderna
Tecnología de electrónica de potencia, especialmente en aplicaciones de alta frecuencia y potencia media.
ocupar una posición dominante.
Las principales características del módulo IGBT incluyen:
Combinando las ventajas del MOSFET y el transistor bipolar: la entrada de IGBT
El módulo es MOSFET y la salida es un transistor PNP, que combina las ventajas
de potencia de accionamiento MOSFET pequeña y velocidad de conmutación rápida, así como las ventajas
de baja tensión de saturación y gran capacidad de los dispositivos bipolares.
adecuado para aplicaciones de alta frecuencia :
El módulo IGBT puede funcionar normalmente en el rango de frecuencia de decenas de kHz, muy adecuado
para uso en sistemas convertidores de voltaje CC de 600 V y superiores, como motores de CA, inversores,
fuente de alimentación conmutada, circuito de iluminación, accionamiento de tracción y otros campos.
estructura interna :
El módulo IGBT contiene una placa base de refrigeración, una placa base DBC y un chip de silicio.
(incluido chip IGBT y diodo). Estos componentes juntos aseguran el trabajo eficiente
y estabilidad del módulo.
Módulo IGBT como dispositivo electrónico de potencia de alto-rendimiento y sus amplios campos de aplicación
y su alta confiabilidad lo convierten en una parte indispensable de la tecnología electrónica moderna.
estabilidad a altas temperaturas :
Debido a sus características de trabajo a alta temperatura, SiC MOSFET mejora en gran medida la
Estabilidad a altas temperaturas, adecuada para entornos de trabajo a altas temperaturas.
Alta temperatura de funcionamiento : La temperatura de funcionamiento máxima garantizada
de MOSFET de SiC comerciales es 150 grados Puede alcanzar hasta 600 grados, lo que hace que el SiC sea un material excelente para alto voltaje, alto aplicaciones de fuente de alimentación conmutada, alta corriente, alta temperatura y velocidad. Etiqueta: Módulos igbt, fabricantes, proveedores, fábrica de módulos igbt de China
Número de pieza
Descripción
Paquete
BVCES(V)
IC(A)
VCESAT(V)
VGE (V)
VGE(th) (V) (Típ.)
WGM300HD120T3
Medio puente 1200V 300A
alta definición
1200
300
1.7
20
6
WGM100PD120T3
1200V 100A PIM
PD
1200
100
1.7
20
6
WGM300HC120T3
Medio puente 1200V 300A
HC
1200
300
1.7
20
6
WGM200HC120T3
Medio puente 1200V 200A
HC
1200
200
1.7
20
6
WGM100FD120T3
Puente completo de 1200 V y 100 A.
FD
1200
100
1.7
20
6
WGM100HA120T3
Medio puente 1200V 100A
JA
1200
100
1.7
20
6
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