Sic Mosfet
El MOSFET de SiC tiene una frecuencia de conmutación más alta y una frecuencia de conmutación muy baja.
pérdidas, mejora la eficiencia de conversión de energía del sistema y
reduce los requisitos de disipación de calor del ciclo térmico, y
con voltaje de conducción compatible con IGBT, dv/dt totalmente controlable,
alto voltaje de bloqueo con baja resistencia de encendido, diodo intrínseco rápido
con baja recuperación inversa, conmutación de apagado independiente de la temperatura
Pérdidas, libre de halógenos, compatible con RoHS. Aplicable principalmente a: inversor fotovoltaico,
almacenamiento de energía, suministro de energía industrial, accionamiento por motor, pila de carga
y otros campos.
Descripción
SiC MOSFET es un transistor de efecto de campo basado en material semiconductor de carburo de silicio,
que tiene una mejora significativa en el rendimiento en comparación con el MOSFET de silicio tradicional.
Los beneficios clave de los MOSFET de SiC incluyen:
alta frecuencia de trabajo : La frecuencia de trabajo de los MOSFET de SiC es mucho más alta que la tradicional
MOSFET de silicio, pueden alcanzar 1MHz o incluso más, lo que hace que el sistema de energía en el
El volumen del condensador, inductor o transformador se puede reducir, reduciendo así el costo de
Fuente de alimentación, para lograr la miniaturización y la belleza del poder.
baja impedancia : la impedancia del MOSFET de SiC es baja y la impedancia interna mínima
La resistencia de un solo tubo puede alcanzar varios miliohmios, lo que ayuda a reducir el uso de
disipadores de calor, reducen aún más el volumen y el peso de la fuente de alimentación y mejoran la
eficiencia y confiabilidad del suministro de energía.
alto voltaje : Los MOSFET de SiC tienen una resistencia de alto voltaje, lo cual es particularmente importante
para aplicaciones de alta presión .
estabilidad a alta temperatura : debido a sus características de trabajo a alta temperatura, SiC MOSFET
Mejora en gran medida la estabilidad a altas temperaturas, adecuado para trabajos a altas temperaturas.
ambiente.
Alta temperatura de funcionamiento : La temperatura de funcionamiento máxima garantizada de
Los MOSFET de SiC comerciales son 150 grados a 600 grados, lo que hace que el SiC sea adecuado para alto voltaje, alta velocidad, alta corriente, alta temperatura, aplicaciones de fuente de alimentación conmutada . Los siguientes son los detalles del producto WSCM01KMA170T2C, otros parámetros del modelo, bienvenido a contactarnos. Etiqueta: sic mosfet, fabricantes, proveedores, fábrica de China sic mosfet, sensor de fuerza de construcción, Sensor de temperatura para naciones, sensor de fuerza médica, Sensor de temperatura para el monitoreo ambiental, Sensor de temperatura para la minería, Sensor de medición de carga
Número de pieza
Paquete
BVDSS(V)
ID(A)@Tc=25 grado
VGS(V)
RDS(encendido) (mΩ)tipo
Tjmx(grado)
Qg(nC)
WSCM01KMA170T2C
A-263NOSOTROS-7L
1700
5
-5~15
720
175
13
WSCM01KJ170T2C
A-247-3L
1700
5
-5~15
720
175
13
WSCM160R120T2C
A-247-4L
1200
17
-5~20
160
175
42
WSCM80MA120T2C
A-263NOSOTROS-7L
1200
28
-5~20
80
175
85
WSCM80R120T2C
A-247-4L
1200
28
-5~20
80
175
85
WSCM032MA120T2C
A-263NOSOTROS-7L
1200
60
-5~18
30
175
128
WSCM032R120T2C
A-247-4L
1200
60
-5~18
30
175
128
WSCM060LL65T2C
PEAJE
650
30
-5~20
60
175
65
WSCM060R65T2C
A-247-4L
650
30
-5~20
60
175
65
WSCM035J65T2C
A-247-3L
650
60
-5~18
35
175
70
WSCM035R65T2C
A-247-4L
650
60
-5~18
35
175
70
WSCM035LL65T2C
PEAJE
650
60
-5~18
35
175
70
WSCM032J120T2C
A-247-3L
1200
60
-5~18
30
175
128
WSCM80J120T2C
A-247-3L
1200
28
-5~20
80
175
85
WSCM01KEA170T2C
A-3PF
1700
5
-5~15
720
175
13
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